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[主观题]

什么是“杂质饱和电离”？在杂质饱和电离条件下，写出N型...

什么是“杂质饱和电离”？在杂质饱和电离条件下，写出N型半导体的电子和空穴浓度，以及P型半导体的电子和空穴浓度

提问人：网友call400 发布时间：2022-01-07

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第1题

以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

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第2题

关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）

A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子

B.施主杂质电离后，电离中心带正电

C.施主杂质是一种间隙式杂质

D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体

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第3题

p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是的，为（）。

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

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第4题

p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是（)的，为（)。

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

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第5题

如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.

A.1/（NA-ND.eｕp

B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e

D.1/（NA+ND.eｕp

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第6题

以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

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第7题

对于仅掺入一种受主杂质的p型半导体，当

时，受主杂质（）

A.全部电离

B.部分电离

C.几乎没电离

D.不确定

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第8题

对于仅掺入一种受主杂质的p型半导体，当

时，受主杂质（）

A.全部电离

B.部分电离

C.几乎没电离

D.不确定

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第9题

对于只含一种杂质的n型半导体，以下论述正确的是

A.其费米能级与杂质浓度和温度有关

B.300K下，90%的杂质能否电离与杂质电离能和杂质浓度有关

C.温度越高，费米能级越接近导带极值

D.杂质浓度越大，半导体进入本征区的温度越高

E.在饱和区，少子浓度基本不随温度变化

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第10题

对于单一掺杂的n型半导体，低温下，其载流子主要来源于()。

对于单一掺杂的n型半导体，低温下，其载流子主要来源于（)。

A.受主杂质电离

B.施主杂质电离

C.本征激发

D.杂质散射

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