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[单选题]
某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。
A.
B.
C.
D.
提问人：网友lhgnet
发布时间：2022-01-07
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某N沟道场效应管的开启电压UGS(th)=4V，其UGS=6V，UDS=12V，则该场效应管工作在( )。
A．可变电阻区 B．恒流区 C．截止区 D．无法判断
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第5题
对于N沟道MOSFET，在[图]并且保持固定的条件下，当[图]...
对于N沟道MOSFET，在
并且保持固定的条件下，当
从小于阈电压
开始逐渐增大到大于
，则MOSFET依次经过哪几种工作状态？在各种工作状态下，漏极电流分别随
的增加而作怎样的变化？
第7题
某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接，其参数如下：Tox=10nm，衬底掺杂浓度为
，氧化层电荷面密度为
，金属栅和衬底的功函数差为-0.3V，空穴迁移率为
，电子迁移率为
（1）该MOSFET的衬底费米势为多少？ （2）该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少？ （3）写出该MOSFET的阈值电压公式，并计算阈值电压？
，氧化层电荷面密度为，金属栅和衬底的功函数差为-0.3V，空穴迁移率为，电子迁移率为 （1）该MOSFET的衬底费米势为多少？ （2）该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少？ （3）写出该MOSFET的阈值电压公式，并计算阈值电压？
