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[判断题]

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()

提问人:网友曾深鑫 发布时间:2022-01-07
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第1题
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()
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第2题
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

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第3题
下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性,a段实际情况偏离理想情况的主要原因是()。

A.体电阻分压

B.势垒区复合电流

C.势垒区扩散电流

D.大注入

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第4题
下图是硅PN结实际和理想情况下的电流电压特性,d段实际情况偏离理想情况的主要原因是()。

A.势垒区复合电流

B.势垒区扩散电流

C.大注入

D.体电阻分压

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第5题
双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是()。
双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是()。

A、该复合电流影响对硅管大,对锗管小

B、该复合电流影响对锗管大,对硅管小

C、该复合电流影响对两种管子同样大

D、该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定

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第6题
双极型晶体管的发射结注入效率的表达式为()。

A.

B.

C.

D.

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第7题
双极型晶体管共发射极连接使用,在输出特性曲线中,随着的增加上升得越多,代表Early电压越大。()
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第8题
晶体管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线
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第9题
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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