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[单选题]
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C.集力敏与力电转换检测于一体
D.根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小
提问人:网友douliyoutang1
发布时间:2022-01-07
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C.集力敏与力电转换检测于一体
D.根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小
B、电流
C、电压
D、磁路磁阻
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