题目内容
（请给出正确答案）
A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
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B、处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合，才可能实现发光
C、在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射声子，就是半导体发光
D、在非辐射复合过程中，电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子，就是半导体发光
A、原子内层的电子能量较低
B、电子从高能级跃迁到低能级时会发射光子
C、发光的颜色取决于电子跃迁的两个能级间的能量差
D、电子从高能级跃迁到低能级时会吸收光子
由状态
到
的辐射跃迁： A. 可产生9条谱线； B. 可产生7条谱线； C. 可产生6条谱线； D. 不能发生。
B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
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