FPGA的编程工艺是SRAM

A.基于查找表技术，SRAM工艺

B.基于乘积项技术，SRAM工艺

C.基于乘积项技术，FLASH工艺

D.基于查找表技术,EEPROM工艺

A.CPLD器件内部为SRAM工艺，断电后编程信息立即丢失。

B.FPGA器件为EEPROM或FLAsH工艺，被编程后断电非易失。

C.CPLD器件为分段式互连结构，内部延时与器件结构和逻辑连接等有关，因此传输时延不可预测

D.CPLD器件为连续式互连结构，内部各模块之间具有固定时延的快速互连通道，可预测延时

A.采用熔丝工艺和反熔丝工艺的可编程逻辑器件，可以反复编程。

B.采用SRAM工艺的可编程逻辑器件，不能反复编程。

C.采用Flash工艺的可编程逻辑器件，可以反复编程。

D.采用PROM工艺的可编程逻辑器件，可以反复编程。

A.FPAG是SRAM工艺，掉电后信息丢失，因此必须外加专用配置芯片，而CPLD为Flash工艺，掉电信息不丢失，无需配置芯片。

B.CPLD的安全性比FPGA高。

C.FPGA的集成度比CPLD低。

D.一般而言，FPGA的内部资源更为丰富，能够实现更为复杂的逻辑功能。

A.FPAG是SRAM工艺，掉电后信息丢失，因此必须外加专用配置芯片，而CPLD为Flash工艺，掉电信息不丢失，无需配置芯片

B.CPLD的安全性比FPGA高

C.FPGA的集成度比CPLD低

D.一般而言，FPGA的内部资源更为丰富，能够实现更为复杂的逻辑功能

A、与CPLD相比，FPGA的CLB阵列结构克服了CPLD等PLD中那种固定“与-或”阵列的结构的局限性，在组成复杂、特殊数字系统时设计更加灵活。

B、FPGA加大了可编程I/O端的数目，使得各引脚信号的安排更加方便和合理。

C、FPGA中信号传输的延迟时间确定，因而提高了器件的工作速度。

D、FPGA的编程数据是存储在一个SRAM中的，因而断电后数据即丢失，通常需配备保存编程数据的EPROM，使用不方便，同时没有CPLD中设置的加密编程单元，因而也不便于保密。