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[判断题]

影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。（)

提问人：网友Chenshan2019 发布时间：2022-01-07

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第1题

铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）

A. 头尾料和锅底料中含有的氧

B. 晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧

C. 石墨加热器与坩埚反应引入的氧

D. 外界空气的进入

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第2题

下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。

A. 布里曼法

B. 热交换法

C. 电磁铸锭法

D. 浇铸法

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第3题

当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.

A. 上升

B. 下降

C. 不变

D. 不确定

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第4题

使用碳酸钠作熔剂时，应使用的坩埚是

A、瓷坩埚

B、银坩埚

C、铂坩埚

D、聚四氟乙烯坩埚

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第5题

精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。()

此题为判断题(对，错)。

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第6题

cz和fz均采用感应线圈进行加热。()

此题为判断题(对，错)。

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第7题

酞菁类化合物是典型的d型有机半导体。()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

《爱弥儿》的作者是()。

A、拉哈伯

B、狄德罗

C、卢梭

D、伏尔泰

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第9题

心理护理可以脱离其他的护理方法而孤立存在。()

此题为判断题(对，错)。

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