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[单选题]

题5-2-3：数字逻辑门的高电平噪声容限的表达式是。

A.VIH-VOH

B.VOL-VOH

C.VOH-VOL

D.VOH-VIH

提问人：网友wtwt123 发布时间：2022-01-07

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第1题

TTL门电路的噪声容限越（），其抗干扰能力越强。

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第2题

TTL逻辑门的低电平噪声容限、高电平噪声容限等于。

A、

B、

C、

D、

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第3题

这是TTL门电路的电压传输特性曲线，高电平噪声容限电压是多少？

A、1.4V

B、0.4V

C、1.6V

D、2V

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第4题

根据下表，可得74HCT04的高电平噪声容限是（）V。 [图]...

根据下表，可得74HCT04的高电平噪声容限是（）V。

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第5题

有两个同型号的TTL与非门电路A和B，已知A的开门电平为1.4 V，关门电平为0.9 V；B的开门电平为1.5 V，关门电平为1.0 V。试问，(1)在输入相同高电平时，哪个抗干扰的能力强？(2)在输入相同的低电平时，哪个抗干扰的能力强？

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第6题

TTL与非门的关门电平是0.8V，开门电平是2V，当其输入低电平为0.4V，输入高电平为3.2V 时，其低电平噪声容限为( )

A、A 1.2V

B、B 1.2V

C、C 0.4V

D、D 1.5V

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第7题

若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值 2.8V 输入低电平最大值 2.3V 输出高电平最小值 3.9V 输出低电平最大值 0.7V 则低电平噪声容限为

A、0.5V

B、1.1V

C、1.6V

D、2.1V

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第8题

若TTL与非门的输入高低电平的额定值分别为3V和0.3V，已知高低电平的噪声容限分别为1.2V和0.8V，则其开门电平

为（）V。

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第9题

【判断题】由于CMOS反相器的噪声容限一般大于TTL反相器的噪声容限，所以CMOS反相器的抗干扰能力强。

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第10题

逻辑门电路的噪声容限，可以保证正常逻辑功能的情况下，承受一定的干扰电压。噪声容限越大，抗干扰能力越强。

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