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刻蚀之后,光刻胶已经不再需要,此时将光刻胶去除的工艺称为去胶

提问人:网友zghslm 发布时间:2022-01-07
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第1题

A. 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶

B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶

C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶

D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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第2题

A. 5

B. 10

C. 15

D. 20

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第3题

A、艾绒是将艾叶切碎后,捡去艾叶的粗梗

B、艾绒是将艾叶切碎后,挑选艾叶的粗梗再加工的物质

C、艾绒是将艾叶完全粉碎后,筛选去艾叶粗梗即可的物质

D、艾绒是将艾叶完全粉碎后,筛选去艾叶粗梗和叶脉后的绒状物质

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第4题

A. 降低黏度

B. 增加透明度和硬度

C. 沉淀杂质

D. 矫臭

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第5题
去胶时,常常将有金属的表面和无金属表面进行区分,他们采用不同的去胶方法。
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第6题
等离子体去胶是一种干法去胶,表面比较干净,去胶效果比较好。
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第7题
氮化硅湿法刻蚀常常采用的湿法腐蚀液为

A、氢氟酸

B、磷酸

C、硝酸

D、硫酸

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第8题
铝的湿法腐蚀液成分主要是

A、硝酸

B、磷酸

C、硫酸

D、氢氟酸

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第9题
利用物理的轰击作用实现干法刻蚀的是

A、溅射刻蚀

B、等离子体刻蚀

C、反应离子刻蚀

D、干法刻蚀

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第10题
氧化去胶时,常用的氧化剂是

A、HF

B、HNO3

C、H2SO4

D、H2O2

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