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[主观题]

某晶体长大机制为二维形核长大时,若在固液界面形成的晶胚为圆柱形,每个核的高度h=0.25nm,其临

界晶核直径dk=14.7nm,融化热为750000kJ/m³,结晶时过冷度△T =0.01Tm,试求固液界面单位面积表面能σ。

提问人:网友xiepengcheng98 发布时间:2022-01-07
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第1题
对整体液态金属结晶过程来说,结晶是成核与长大并进的过程
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第2题
光滑界面(名词解释题)

光滑界面

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第3题
釉熔体的析晶过程要先有晶核,晶体再围核长大。
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第4题
螺型位错(名词解释题)

螺型位错

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第5题
金属材料主要是以哪种长大方式为主()

A、二维晶核长大机制

B、螺型位错长大机制

C、刃型位错长大机制

D、连续长大机制

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第6题
关于晶核的定义正确的包括
A.可以自发长大的晶胚

B.半径大于临界晶核半径的晶胚

C.液态金属中时刻都会出现小晶体胚芽,但不都成为晶核

D.获得大于临界形核功的能量时,才能形成晶核

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第7题
在材料的烧结过程中,二次再结晶是少数巨大晶粒在细晶粒消耗时的异常长大过程。这种二次再结晶属于

A、吞并周围小晶粒而迅速长大

B、平均晶粒尺寸的长大

C、晶界移动的结果

D、晶粒的正常生长

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第8题
实际金属结晶时,生核和晶体长大的方式主要是()。

A. 自发生核和平面长大

B. 自发生核和树枝状长大

C. 非自发生核和平面长大

D. 非自发生核和树枝状长大

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第9题
处于临界晶核半径的晶胚,一定会逐渐长大()

此题为判断题(对,错)。

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第10题
当转变时间很短时,Avrami方程可做怎样的简化?

①若形核都是在晶粒角隅上,并且假设晶核都是在转变开始瞬间形成,形核位置饱和,核心以恒速长大。以简单的模型,利用Avrami简化式子,证明指数n=3。

②若在晶界形核,并且假设晶核都是在转变开始瞬间形成,形核位置饱和,核心以恒速长大。以简单的模型,利用Avrami简化式子,证明指数n=1。

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