题目内容
（请给出正确答案）
，磷的浓度为
则A.该半导体为N型半导体，多子是电子
B.该半导体为N型半导体，多子是空穴
C.该半导体为P型半导体，多子是电子
D.该半导体为P型半导体，多子是空穴
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在本征硅半导体中，掺入浓度为
的受主杂质，当T=300K时，所形成的杂质半导体类型为_______型。若再掺入浓度为
的施主杂质，则半导体类型为________型。若将该半导体温度上升到T=500K，则半导体类型为________型。若将该半导体温度上升到T=600K，则半导体类型为________。（填写N、P或者本征半导体）
已知硅半导体中每立方厘米掺有1
个硼原子，则：
A、这是N-Si
B、电子浓度为
C、该半导体中空穴为少数载流子
D、该半导体的费米能级在禁带中心下方
已知Si中每立方厘米掺有个硼原子
A、这是N-Si
B、该半导体中费米能级在禁带中心的上方
C、该半导体中NA=
D、该半导体中电子浓度为
已知一半导体通电处于非平衡状态，非平衡少子浓度为
,则下列说法不正确的是
A、一旦撤除外部影响，半导体会逐渐恢复成热平衡状态
B、如果不继续通电，非平衡少子浓度为按指数递减
C、若向该半导体中掺金，则会减少其从非平衡状态恢复到平衡状态所需的时间
D、此时，半导体中的多子浓度为
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，禁带宽度为1.12eV，计算掺入
硼原子后硅中电子浓度为（）
，禁带宽度为1.12eV，计算掺入
硼原子后硅中空穴浓度为（）
,掺杂浓度为
，电子和空穴的迁移率分别为
和
。若外加电场强度为
，则其漂移电流密度为（）
。
,掺杂浓度为
，电子和空穴的迁移率分别为
和
。若外加电场强度为
，则其漂移电流密度为（）
。
