题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
VDD=3V的条件下，对图5.39所如下计算要求： a）推导工作在线性区的MOSFET的跨导和输出电阻的表达式。
1、VDD=3V的条件下，对图5.39所如下计算要求： a）推导工作在线性区的MOSFET的跨导和输出电阻的表达式。画出这些量以及gmro相对于VDS为自变量的函数图形，要求图形包含线性区和饱和区。 b）考虑图5.39中放大器，其中（W/L）1~4=50/0.5，Iss=1mA，输入CM电平为1.3V。如果所以晶体管都保持在饱和区，计算小信号增益和最大输出摆福。 c）在b）的电路中，假设使每个PMOS器件进入线性区50mV，以使允许的差动输出摆福增加100mV。当输出摆福过峰值时，小信号增益是多少？
提问人：网友wsxcderfv
发布时间：2022-01-07
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将____，fL将____，上限截止频率fH将____；当Rb2增大时， 
，三极管T2 和T3的VBEQ、β、rbe都已知，试对动态参数计算选择正确答案： （1）
=（ ） （2）
=（ ）
