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第1题
引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。
A.发射结正偏电压变化
B.集电结反偏电压变化
C.基区少子浓度梯度变化
D.发射结势垒宽度变化
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第2题
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
A.集电结势垒电容
B.集电结扩散电容
C.发射结势垒电容
D.发射结扩散电容
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第3题
由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（)的充放电效应。
A.集电结势垒电容
B.集电结扩散电容
C.发射结势垒电容
D.发射结扩散电容
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第4题
双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。
A.基区宽度足够小
B.发射结正偏
C.集电结反偏
D.发射结及集电结的结电阻足够小
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第5题
双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（）。
A.基区宽度足够小
B.发射结正偏
C.集电结反偏
D.发射结及集电结的结电阻足够小
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第6题
对于PNP晶体管,以下 条件不利于实现放大
A.发射结正偏
B.Wb ＜＜ Lpb
C.发射区重掺杂
D.集电结反偏
E.基区重掺杂
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第7题
以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能
A.发射区高掺杂
B.基区宽度较小
C.集电区低掺杂
D.发射结正偏，集电结也正偏
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第8题
【单选题】基本放大电路的核心元件是晶体管T,它的作用是要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在（)。
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第9题
晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为（）
A.集电结正偏，发射结正偏
B.集电结正偏，发射结反偏
C.集电结反偏，发射结正偏
D.集电结反偏，发射结反偏
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