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[单选题]

三极管放大的条件是()

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结正偏,集电结反偏

C.发射结反偏,集电结反偏

提问人:网友lixin080108 发布时间:2022-01-07
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[40.***.***.238] 1天前
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[207.***.***.51] 1天前
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[172.***.***.89] 1天前
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[152.***.***.69] 1天前
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第1题
晶体三极管的放大实际上是()。
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第2题
NPN型三极管工作在线性区的外部条件是 。

A、VE<VC<VB

B、VC<VB<VE

C、VB<VC<VE

D、VE<VB<VC

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第3题
PNP型三极管放大的条件是()。

A.VC>VB>VE

B.VC>VE>VB

C.VB>VC>VE

D.VE>VB>VC

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第4题
测量半导体三极管的发射结与集电结,如均为正偏,则它工作在()区;如皆为反偏,则它工作在()区。
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第5题
晶体管三极管放大条件是( )。
A.发射结要正向偏置

B.发射结要正向偏置,集电结要反向偏置

C.集电结要反向偏置

D.发射结要反向偏置,集电结要正向偏置

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第6题
光电三极管电流放大的外部条件是:

A、外加电源的极性应使发射结处于反向偏置状态,集电结处于正向偏置状态;

B、外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态;

C、外加电源的极性应使发射结和集电结均处于正向偏置状态;

D、外加电源的极性应使发射结和集电结均处于反向偏置状态。

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第7题
三极管工作在放大区的条件是( )
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第8题
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

A. 内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

B. 内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

C. 外部条件,发射结正偏,集电结反偏

D. 外部条件,发射结反偏。集电结反偏

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第9题
三极管的电流放大作用应满足的条件是什么?

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