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[主观题]

p型半导体与n型半导体接触表成p—n结，n型的电子能否无限地向p型扩散？

提问人：网友anonymity 发布时间：2022-01-06

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第1题

把N型和P型半导体有机结后在一起，通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。（）

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第2题

P型半导体和N型半导体的接触面附件形成内电场，其方向有P区指向N区。

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第3题

当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？

A、阻挡层

B、耗尽层

C、空间电荷区

D、突变层

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第4题

在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：

A、本征半导体

B、五价半导体

C、P型半导体

D、N型半导体

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第5题

在本征半导体中掺入三价元素形成（）型半导体。

A、P型

B、N型

C、PNP型

D、NPN型

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第6题

发光二极管的核心部分是由和组成的晶片，在这两部分之间有一个过渡层，称为。

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第7题

将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界外形成了电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。

A. PN节

B. N型节

C. P型节

D. V型节

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第8题

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。

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第9题

在室温下n型锗的霍耳系数RH=100cm3/c，求载流子浓度．...

在室温下n型锗的霍耳系数R_H=100cm³/c，求载流子浓度．

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第10题

已知He—Ne激光器的输出功率为4mW，输出端反射镜的透射率为1%，毛细管直径为1mm，求腔内能量密度．

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