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[主观题]

测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？

提问人：网友micang1987 发布时间：2022-01-06

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第1题

采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。

A.自激法

B. 末端加压法

C. 末端屏蔽法

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第2题

用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。

A.1/8

B. 1/4

C. 1/2

D. 1/6

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第3题

用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）

A.1/8

B.1/4

C.1/2

D.1/6

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第4题

采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。

A.自激法

B. 它激法

C. 未端加压法

D. 未端屏蔽法

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第5题

通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）

A.支架开裂

B.线圈匝，层间短路

C.受潮

D.铁心夹件悬浮电位放电

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第6题

通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。

A.支架开裂

B. 线圈匝，层间短路

C. 受潮

D. 铁心夹件悬浮电位放电

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第7题

用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况

A.一次绕组对二次绕组及地；

B.处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间；

C.铁芯支架；

D.处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间。

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第8题

测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）

A.常规法（短路法）

B.激磁法

C.间接法

D.末端加压法

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第9题

测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。

A.常规法（短路法）

B. 激磁法

C. 间接法

D. 末端加压法

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第10题

用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映的绝缘状况（）

A.一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地；

B.处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地；

C.处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间；

D.上下铁芯支架

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