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[判断题]
硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。
提问人：网友jeff_wan
发布时间：2022-01-07
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第2题
从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为()，锗管约为();晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为()、锗管的UBE约为()。
从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为（)，锗管约为（);晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为（)、锗管的UBE约为（)。
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第7题
锗二极管的导通电压（)，死区电压（)。硅二极管的导通电压（)，死区电压（)。 （a) 0.7V （b) 0.1V （c) 0.
锗二极管的导通电压( )，死区电压( )。硅二极管的导通电压( )，死区电压( )。
(a) 0.7V (b) 0.1V (c) 0.3V (d) 0.5V
第10题
硅二极管和锗二极管的门槛电压（死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下，它们的正向导通电压的工程取
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。
