CMOS电极引出处必须进行轻掺杂。

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

A.降低轻掺杂一侧掺杂浓度

B.增加轻掺杂一侧掺杂浓度

C.降低重掺杂一侧掺杂浓度

D.增加重掺杂一侧掺杂浓度

使用N型外延层，必须加入深的轻掺杂()型扩散区用于制作NMOS晶体管。

A、N

B、P

C、N或P

使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂()型扩散区用于制作PMOS晶体管。

A、N

B、P

C、N或P

A.耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧

B.耗尽层宽度主要在重掺杂一侧

C.内建电势主要降落在轻掺杂一侧

D.内建电势主要降落在重掺杂一侧

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

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参考答案：错误