题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

关于氧化速率下面哪种描述是正确的：

A.生长非常薄（＜十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律＞

B.温度升高氧化速率迅速增加

C.（111）硅比（100）硅氧化得快

D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低

E.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律

F.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

提问人：网友grafnb 发布时间：2022-01-06

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第1题

以下关于氧化沟的描述正确的是:

A．Carrousel氧化沟不需设置回流污泥设施

B．Orbal氧化沟是在好氧条件下运行的

C．三槽氧化沟可不用污泥回流设施

D．竖轴表曝机氧化沟只用于单槽氧化沟中

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第2题

分析下列关于氧化、还原反应的描述,其中正确的是()。

A、氧化-还原反应一定要有氧气参与

B、没有氢气参与的反应不是氧化-还原反应

C、与反应生成水不是氧化-还原反应

D、有元素化合价变化的反应是氧化-还原反应

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第3题

关于一氧化碳的描述,下列说法不正确的是()。

A、一氧化碳是无色有刺激性气味的气体

B、有剧毒

C、水与烧红的煤炭可以反应生成一氧化碳

D、一氧化碳可以作为燃料

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第4题

条件电势反映了离子强度和各种副反应影响的总结果。

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第5题

制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

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第6题

热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）

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第7题

热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。（两个字）

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第8题

[图]A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散B、图（a）、（b）...

A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散

B、图（a）、（b）都是限定源扩散

C、图（a）、（b）都是恒定源扩散

D、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散

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第9题

扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

A、大，横向扩散

B、小，横向扩散

C、大，场助扩散

D、大，氧化增强

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