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[单选题]

以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

提问人:网友曾深鑫 发布时间:2022-01-07
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第1题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。
A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

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第2题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是()。
A、如果考虑寄生电容,相比理想情况,最高振荡频率会降低

B、理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件沟道长度成正比

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第3题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第4题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。
A、NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B、当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C、当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D、管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第5题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。
A、此时满足条件

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为

D、沟道夹断区为耗尽区

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第6题
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。
A、氧化层正电荷控制不当

B、衬底材料掺杂浓度选择不妥

C、源漏材料掺杂浓度选择不妥

D、以上都是形成的原因

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第7题
MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()

A. 栅极(G)

B. 漏极D.

C. 基极B.

D. 源极(S)

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第8题
以下关于Linux启动过程中说法错误的是()
A.硬盘上第0磁道第一个扇区被称为MBR,也就是MasterBootRecord,即主引导记录,它的大小是512字节

B.BootLoader就是在操作系统内核运行之前运行的一段小程序。通过这段小程序,我们可以初始化硬件设备、建立内存空间的映射图系统将解压后的内核放置在内存之中,并调用start_kernel()

C.函数来启动一系列的初始化函数并初始化各种设备,完成Linux核心环境的建立

D.整个系统启动的流程,整个过程基本可以分为POST-->MBR(GRUB)-->BIOS-->Kernel-->Init-->Runlevel

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第9题
当ENODEB和M2000之间的操作维护通道没有建立时,可以用LMT近端登陆ENODEB。
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