更多“上芯生产加工过程中已加工芯片只要发现背崩,该芯片报废。()”相关的问题
第1题
上芯MAP产品加工过程中,如单片加工完后发现实际芯片数量与来料数不符,则开具NCL单反馈,其他产品可以继续加工。()
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第2题
对于双芯片上芯产品,上芯应先加工绝缘胶产品。()
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第3题
双芯片产品上芯时应优先加工导电胶产品。()
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第4题
作业员在加工过程中发现晶圆有少数芯片划伤,自己可以补点。()
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第5题
FCDA生产加工产品不允许有背崩。()
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第6题
上芯后兰膜的检查目的是为了预警崩单晶、翘片、沾污、漏芯片。()
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第7题
双芯片产品加工时,必须先加工使用导电胶的芯片,再加工使用绝缘胶的芯片。()
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第8题
上芯更换吸嘴后,必须由作业员将加工的首条产品送高倍检验员确认芯片表面是否有压伤。()
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第9题
芯片边缘崩缺伤及芯片表面有效区域为不良。()
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第10题
双芯片产品加工时要优先加工兰膜。()
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第11题
若加工过程中出现漏好芯片或粘墨点片现象,作业员需及时重新校准晶圆PR。()
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