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基区渡越时间

提问人：网友abc314123 发布时间：2022-01-06

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第1题

在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

A. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

B. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

C. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

D. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

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第2题

在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

A. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

B. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

C. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

D. 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

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第3题

从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响（)。

A、复合损失使 A、复合损失使小于1B、时间延迟使相位滞后C、渡越时间的分散使减小D、渡越时间的分散使增大小于1

B、时间延迟使相位滞后

C、渡越时间的分散使 A、复合损失使小于1B、时间延迟使相位滞后C、渡越时间的分散使减小D、渡越时间的分散使增大减小

D、渡越时间的分散使 A、复合损失使小于1B、时间延迟使相位滞后C、渡越时间的分散使减小D、渡越时间的分散使增大增大

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第4题

双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的（)。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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第5题

双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的（）。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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第6题

对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是

A.发射极延迟时间

B.基区渡越时间

C.集电结势垒渡越时间

D.集电极延迟时间

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第7题

从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响（)。

A、复合损失使 A、复合损失使小于1B、时间延迟使相位滞后C、渡越时间的分散使减小D、渡越时间的分散小于1

B、时间延迟使相位滞后

C、渡越时间的分散使 A、复合损失使小于1B、时间延迟使相位滞后C、渡越时间的分散使减小D、渡越时间的分散减小

D、渡越时间的分散使 A、复合损失使小于1B、时间延迟使相位滞后C、渡越时间的分散使减小D、渡越时间的分散增大

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第8题

tb可以称为（）。

A.基区渡越时间

B.发射极扩散电容充放电时间常数

C.发射结势垒电容充放电时间常数

D.集电结势垒电容经集电区的充放电时间常数

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第9题

关于双极型晶体管中基区少子寿命tnb和基区渡越时间tb之间大小关系,下列说法中正确的是

A.tnb ＞＞ tb

B.tnb ＜＜ tb

C.tnb @ tb

D.tnb 和 tb之间大小不确定

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第10题

增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是：

A.使得τb增大而使得fT下降；

B.使得τc增大而使得fT下降；

C.使得τb减小而使得fT增加；

D.使得τc减小而使得fT增加；

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