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[多选题]

由于跟fz技术相比，cz法具有（)。

A.通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度

B.对多晶形状要求低

C.熔体稳定

D.晶体直径大

提问人：网友Chenshan2019 发布时间：2022-06-25

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ABCD

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第1题

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第2题

制备单晶硅的方法有

A.直拉法（CZ）

B.悬浮区熔法（FZ）

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第3题

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第4题

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第6题

在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭。（)

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第7题

FZ型避雷器残压与FS型避雷器相比，具有（)优点。A.残压低B.体积小C.结构简单

FZ型避雷器残压与FS型避雷器相比，具有()优点。

A.残压低

B.体积小

C.结构简单

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第8题

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与FZ型避雷器相比，FS型避雷器具有()特点

A.残压低

B.体积小

C.有均压电阻

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第9题

与FZ型避雷器残压相比，FS型避雷器具有（）特点A 残压低 B 体积小 C 有均压电阻

与FZ型避雷器残压相比，FS型避雷器具有（）特点

A 残压低

B 体积小

C 有均压电阻

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第10题

下列属于单晶硅材料制造技术的是（)

A.还原法

B.CZ法

C.氧化法

D.热蒸发

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第11题

记录VEP的作用电极一般置于国际10--20系统（）

A.Cz位

B.Fz位

C.Oz位

D.PZ位

E.Tz位

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