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[主观题]

在材料的烧结过程中,到烧结的中后期晶粒要逐渐长大,这种晶粒生长过程是平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下,连续长大的过程。这种晶粒长大属于

提问人:网友tlp070501 发布时间:2022-01-07
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第1题
在材料的烧结过程中,二次再结晶是少数巨大晶粒在细晶粒消耗时的异常长大过程。这种二次再结晶属于

A.吞并周围小晶粒而迅速长大

B.平均晶粒尺寸的长大

C.晶界移动的结果

D.晶粒的正常生长

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第2题
在材料的烧结过程中,不会发生晶粒生长的烧结阶段是

A.烧结初期

B.烧结中期

C.烧结后期

D.烧结中后期

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第3题
烧结中后期,晶界移动的结果,使得 。

A.大于六条边的晶粒长大

B.小于六条边的晶粒长大

C.所有晶粒平均长大

D.晶粒相互粘结而长大

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第4题
烧结过程中,杂质的含量越多,则晶粒长大过程结束的越快,最终得到的晶粒其平均粒径越小。
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第5题
在材料的烧结过程中,晶粒的正常生长过程中存在一个极限尺寸Dl,当这个极限尺寸Dl的存在是由于
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第6题
烧结过程中出现异常晶粒长大的原因?
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第7题
名词解释: 烧结 泰曼温度 晶粒长大 二次再结晶...

名词解释: 烧结 泰曼温度 晶粒长大 二次再结晶

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第8题
在 1500℃,MgO正常的晶粒长大期间,观察到晶体在1h内从直径从1μm 长大到10μm,在此条件下,要得到直径20μm的晶粒,需烧结多长时间?如已知晶界扩散活化能为60kcal/mol,试计算在 1600℃下4h后晶粒的大小,为抑制晶粒长大,加入少量杂质,在 1600℃下保温4h,晶粒大小又是多少?
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第9题
液相烧结和固相烧结都要经历颗粒重排、气孔充填和晶粒生长这些烧结过程。
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第10题
在保证烧结密度的前提下,______________可以获得较小的晶粒尺寸。

A.微波烧结

B.放电等离子体烧结

C.常压烧结

D.热压烧结

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