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IGBT的三个极是阳极、阴极、门极____
提问人：网友michelle101
发布时间：2022-01-07
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A、绝缘门极晶闸管
B、绝缘栅双极晶体管
C、电力场效应管
D、门极可关断晶闸管
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第2题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是()
A．GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
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B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D．IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第3题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是()
A．GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
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B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
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第6题
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C．作业分析法与技术分析法两种
D．作业分析法与因素分析法两种
