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[主观题]

2如图题所示电路,两个mos管参数完全一致,已知w/l=50,μncox=250μa/v2,va=10v,恒流源i的输出电阻为400kw,rl=8kω,求: (1)求mos管的小信号参数gm,ro (2)差分输出时的差模增益ad; (3)如果rl接在vt1的漏极与地之间,求共模抑制比cmrr。

2如图题所示电路,两个MOS管参数完全一致,已知W/L=50,μnCox=250μA/V2,VA=10V,恒流源I的输出电阻为400kW,RL=8kΩ,求: (1)求MOS管的小信号参数gm,ro (2)差分输出时的差模增益Ad; (3)如果RL接在VT1的漏极与地之间,求共模抑制比CMRR。2如图题所示电路,两个mos管参数完全一致,已知w/l=50,μncox=250μa/v2,va=1

提问人:网友cnzhiwei 发布时间:2022-01-07
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第1题
已知活塞运动速度V=0.04m/s,活塞有效工作面积A=0.008m2,则输入液压缸的流量为()。

A. 3.2×10-4m2/s

B. 3.2×10-3m2/s

C. 5m2/s

D. 0.2m2/s

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第2题
电路如图题所示,两管参数相同,b=100,VBE = 0.7V,求输出电流Io。
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第3题
CS放大器受到米勒效应影响,高频信号放大带宽性能受限。
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第4题
一个MOSFET在栅极和漏极之间的中频增益为-30V/V,NEMOS晶体管有Cgs=0.3pF,Cgd=0.1pF。问MOS器件的等效输入电容Cin为多少(依据米勒等效方法分析)?当信号源电阻在什么范围内时,fH超过10MHz?(忽略RG的影响)
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求图中电路的时间常数和频率响应的表达式

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第7题
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在如图所示的有源负载差分放大器中,若所有晶体管的,则要求电路差模增益为时,提供偏置电流的恒流源 I=( )。

A、0.4mA

B、0.3mA

C、0.2mA

D、0.1mA

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第8题
电路如图所示,已知各晶体管[图],[图],[图],[图]和[图]...

电路如图所示,已知各晶体管都很大,则电路的总输出电阻Ro=( ),电压增益Av=( )。

A、500kΩ,-2000V/V

B、250kΩ,-2000V/V

C、500kΩ,-1000V/V

D、250kΩ,-1000V/V

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第9题
采用恒流源为差分放大器提供偏置的同时,可以利用恒流源的高内阻降低差分放大器共模增益,从而提高差分放大器的共模抑制比。
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