题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本单位，则有

A.最小反相器的输入电容为2

B.最小NOR2的输入电容为4

C.最小NAND的输入电容为3

D.标准门的输入电容为6

提问人：网友kings1108 发布时间：2022-01-07

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第1题

假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2，最小尺寸的对称反相器的输入电容等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力（logical effort）为（）。

A.2/3

B.1

C.4/3

D.5/3

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第2题

设最小晶体管栅极电容导致的延迟时间为1，下列单元器件的延迟时间正确的是

A.INV延迟时间为2

B.NAND2延迟时间为4

C.OR2延迟时间为4

D.标准门延迟时间为3

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第3题

若假设最小晶体管栅极电容导致的时间延迟为1，使用片内基本单元实现逻辑函数 y=a+b.c' 时，当信号从c到y的传递延迟时间为

A.6

B.8

C.10

D.12

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第4题

反相器的延时只取决它的外部负载电容与输入电容间的比值。

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第5题

CMOS反相器的负载电容

，功耗电容

，电源电压

，输入矩形波的频率为1 MHz，则反相器的动态功耗为。

A.1.3 W

B.1.09 W

C.1.09 mW

D.1.3 mW

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第6题

当反相器的输入Vin=0V，信号由低到高过度时，在输出电容为CL的情况下，门的响应时间由晶体管的导通电阻Rn和输出电容CL决定决定。

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第7题

多个电容进行串联，总电容的大小情况为（）。

A.所有电容容量之和

B.介于最大容量和最小容量之间

C.比最小的电容容量小

D.比最大的电容容量大

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第8题

在电容串联电路中，总电容一定小于其中最小的那个电容。（)

在电容串联电路中，总电容一定小于其中最小的那个电容。()

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第9题

由于电力MOSFET的栅极下面有绝缘层,从而形成了输入电容,栅极电压的变化速度与输入电容的充放电速度有关,所以管子的开关速度受到输入电容的充放电速度的影响（）

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第10题

小电容元件上标示的数字所表示的电容值是以____为最小单位的

A.uF

B.nF

C.pF

D.F

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