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光刻工艺流程:打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。

提问人:网友dhn7924911 发布时间:2022-01-07
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第1题
黑自负片的冲洗工艺流程是()。

A. 显影→停显→定影→水洗→干燥

B. 显影→定影→水洗→干燥

C. 显影→水洗→定影→干燥

D. 显影→水洗→停显→定影→干燥

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第2题
当前,平版胶印中,PS版的制版流程是:()

A. 数字文件→激光照排→晒版→显影→冲洗

B. 数字文件→晒版→激光照排→显影→冲洗

C. 数字文件→激光照排→显影→晒版→冲洗

D. 数字文件→显影→冲洗→晒版→激光照排

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第3题
黑白负片冲洗工艺的流程是:显影----停影----定影----水洗----清洁()
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第4题

A. 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶

B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶

C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶

D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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第5题

A. 拼版一修版一校对一晒版一涂保护胶

B. 拼版一校对一晒版一修版一涂保护胶

C. 校对一晒版一拼版一修版一涂保护胶

D. 修版一校对一晒版一拼版一涂保护胶

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第6题

A. 定影

B. 冲洗

C. 图布感光液

D. 除膜

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第7题
在硅表面LPCVD-Si3N4之前,都会先热生长薄氧化层,它被称为 层。
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第8题
某质点的运动方程为x=3t-5t3+6 (SI),则该质点作

A、匀加速直线运动,加速度为正值

B、匀加速直线运动,加速度为负值

C、变加速直线运动,加速度为正值

D、变加速直线运动,加速度为负值

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第9题
一小球沿斜面向上运动,其运动方程为S=5+4t-t2 (SI),则小球运动到最高点的时刻是

A、t=4s

B、t=2s

C、t=8s

D、t=5s

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