题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

关于可编程逻辑器件工艺,正确的说法是______________。

A.采用熔丝工艺和反熔丝工艺的可编程逻辑器件,可以反复编程。

B.采用SRAM工艺的可编程逻辑器件,不能反复编程。

C.采用Flash工艺的可编程逻辑器件,可以反复编程。

D.采用PROM工艺的可编程逻辑器件,可以反复编程。

提问人:网友applelik 发布时间:2022-01-07
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第1题
PAL是采用双极型工艺制作,熔丝编程方式的可编程逻辑器件。()

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第2题
现代可编程逻辑器件中主要采用的编程工艺有:

A.CMOS

B.E2CMOS

C.熔丝式

D.掩模式

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第3题
可编程逻辑器件按照编程工艺可分为四类,其中属于非易失性器件的有()。

A. 熔丝和反熔丝编程器件

B. B.UEPROM编程器件

C. C.EEPROM编程器件

D. D.SRAM编程器件

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第4题
在系统可编程逻辑器件采用 编程单元。

A.E2CMOS

B.熔丝

C.SRAM

D.隧道型浮栅单元

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第5题
可编程只读存储器PROM的存储单元由于采用熔丝工艺,可以()次编程。

A.一

B.二

C.三

D.多

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第6题
FPGA芯片掉电信息丢失,原因是编程单元采用的是 。

A.浮栅MOS器件

B.熔丝

C.反熔丝

D.触发器

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第7题
熔喷法非织造工艺是采用高速()对模头喷丝孔挤出的聚合物熔体细流进行牵伸,由此形成超细()并收

熔喷法非织造工艺是采用高速()对模头喷丝孔挤出的聚合物熔体细流进行牵伸,由此形成超细()并收集在凝网帘或滚筒上,同时自身粘合而成为熔喷法非织造布。

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第8题
熔喷工艺过程主要为:熔体准备、()、计量、熔体从喷丝孔挤出、熔体细流拉伸与冷却、()。

熔喷工艺过程主要为:熔体准备、()、计量、熔体从喷丝孔挤出、熔体细流拉伸与冷却、()。

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第9题
GAL与PAL的结构比较中,以下说法不正确的是()。

A.GAL与PAL的与阵列都是可编程的

B.GAL与PAL的或阵列都是固定的

C.GAL与PAL的输出结构都是可编程的

D.PAL采用熔丝编程工艺,GAL采用电可擦除工艺

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第10题
【多选题】关于GAL的说法,下列正确的是:

A.每个输入端都设有输入缓存器

B.只要给GAL写入不同的结构控制字,就可以得到不同类型的输出电路结构

C.GAL采用的是双极性熔丝工艺

D.一旦编程以后,GAL不能再次修改

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