III、V族元素在硅、锗晶体中都是替代式杂质。

A.III族元素在硅、锗中电离过程接受电子；

B.III族元素在硅、锗中电离产生导电空穴；

C.III族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心；

D.此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体 。

生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是()。

A．单晶体

B．多晶体

C．化合物

D．混合物

A.单质都是无色晶体

B.单质中硅单质熔点最高

C.碳族元素形成的化合物种类最多

D.在化合物中最稳定的化合价都是+4价

生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是()。

A．单晶体

B．多晶体

C．液晶

D．同素异构晶体

A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)

B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)

C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)

D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁