题目内容
（请给出正确答案）
A.P型半导体含有较多的空穴，P型一侧带负电
B.N型半导体含有较多的空穴，N型一侧带正电
C.P型半导体含有较多的电子，P型一侧带正电
D.N型半导体含有较多的电子，N型一侧带负电
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A、PN结是P型，N型半导体混合制成的
B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
A.平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂质离子构成的
B.正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主
C.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
D.PN结始终具有整流特性
A.类似于无机太阳电池中的PN结
B.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差
C.电离电势(IP)较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料
D.具有大电子亲和能(EA)的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料
A.在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
B.由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D.因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
A.由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
B.在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D.因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
A.平衡PN结中不存在扩散和漂移电流
B.平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的
C.平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区
D.平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区，N区中的多子浓度基本一致
A.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B.在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C.P型半导体带正电，N型半导体带负电
D.PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
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