题目内容 （请给出正确答案）
[主观题]

某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为

某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接，其参数如下：Tox=10nm，衬底掺杂浓度为某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为某铝栅P沟道M，氧化层电荷面密度为某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为某铝栅P沟道M，金属栅和衬底的功函数差为-0.3V，空穴迁移率为某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为某铝栅P沟道M，电子迁移率为某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为某铝栅P沟道M（1）该MOSFET的衬底费米势为多少？ （2）该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少？ （3）写出该MOSFET的阈值电压公式，并计算阈值电压？

提问人：网友redpear 发布时间：2022-01-07
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第1题
假设NEMOSFET已工作在饱和区，若[图]继续增大时，沟道夹...

假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

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第2题
n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体,在工作时通常源端接___。
A、n型，电源电压

B、n型，地

C、p型，电源电压

D、p型，地

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第3题
【单选题】下图所示电路中,若已知P沟道增强型MOSFET的VGS(th) =-1.5V,Kp=μpCoxW/(2L)= 80μA/V2,沟道长度调制效应忽略不计,其他电路参数如图中所示。则可求出IDQ、VGSQ、gm、rds的值分别约为( )。

A、0.37 mA,3.63V,0.34mS,∞;

B、0.37 mA,-3.63V,0.34mS,10kΩ;

C、0.37 mA,-3.63V,0.34mS,∞;

D、0.37 mA, 3.63V,-0.34mS,10kΩ。

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第4题
增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时 。

A、不能形成导电沟道

B、能够形成导电沟道

C、漏极电流不为零

D、漏极电压为零

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第5题
单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
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第6题
电力MOSFET的种类按结构分为（ ）。

A、结型

B、绝缘栅型

C、P沟道

D、N沟道

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第7题
3.______沟道结型场效应管的夹断电压VGS（off）为正，________沟道结型场效应管的夹断电压VGS（off）为负。
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第8题
N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS >UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
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第9题
耗尽型JFET
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