题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列各种存储单元的电路中，读数据时属于破坏性读出的存储是（)

A.双极型存储单元

B.静态MOS型六管存储单元

C.动态MOS四管存储单元

D.动态MOS型单管单元

提问人：网友nedved2010 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

下面属于破坏性试验的是

A、绝缘电阻试验

B、介质损耗试验

C、吸收比试验

D、耐压试验

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第2题

A. GPIO可以由CPU编程决定方向，但不能查询其状态

B. GPIO通常用于连接外部的SDRAM，进行高速传输

C. CPU可以通过编程，决定GPIO是输入、输出的通信功能，但不能是双向的

D. GPIO可以用于模拟Flash的接口，对Flash存储器进行读写操作

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第3题

A、是一个双稳态触发器。

B、在掉电后能继续存储数据。

C、读/写次数不超过次。

D、相当于移位寄存器中的一位。

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第4题

A. 表面磨损

B. 表面点蚀

C. 齿面胶合

D. 断齿

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第5题

A、破坏性

B、潜伏性

C、传染性

D、免疫性

E、自我复制性

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第6题

下列属于绝缘非破坏性试验的有（）

A. 吸收比试验

B. 泄漏电流试验

C. 介质损角试验

D. 局部放电试验

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第7题

下列选项中，不属于计算机病毒特征的是（）

A.破坏性

B.潜伏性

C.传染性

D.免疫性

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第8题

对下列几种ROM芯片，描述正确的是（ )

A、PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据

B、FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

C、EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。

D、EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。

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第9题

下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（）

A、按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。

B、刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。

C、刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。

D、集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性。

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第10题

下列各类并行存储器中，能比较经济地实现流水式并行访存的是（ )

A、单体多字的并行存储器

B、顺序编址的多体并行存储器

C、交叉编址的多体并行存储器

D、以上三种存储器都不适合。

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