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[主观题]

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好

提问人:网友lidalin2005 发布时间:2022-01-07
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第1题
对于光电管的基本特性,下面说法正确的是()。

A. 当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降。

B. 三极管的光照特性曲线有良好的线性。

C. 在零偏压时,二极管和三极管都没有光电流输出。

D. 温度变化对光电管的光电流影响很小,而对暗电流影响很大。

E. 锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。

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第2题
温度每增加10摄氏度,硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的()倍。

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第3题
温度稳定性是指沥青的粘性、塑性随着温度变化而改变的性质()

此题为判断题(对,错)。

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第4题
双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系 ; 场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系。
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第5题
在任何情况下, 直流工作点(Q)都要选在交流负载线中点 。
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第6题
在阻容耦合放大器中,负载电阻不影响工作点, 在直接耦合放大器中也如此。
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第7题
在小信号放大器中, 分析方法主要是等效电路法, 而在功率放大器中主要用图解法。
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第8题
在集成运放应用中, 虚断和虚短概念总是成立的。
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第9题
增强型NMOS管放大器偏置电压UGS>UGS(Th), 则管子导通并一定工作在恒流区。
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第10题
双极型晶体管放大器工作在放大区, 则一定保证发射结正偏, 集电结反偏。
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