关于晶体下列说法错误的是()
A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速,调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速,调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
A.凡是单形结构的晶体,其晶面的几何形态是一致的
B.若两个相同的晶体共用一个晶面时可称其为“双晶”
C.凡是二向延伸型的晶体都是片状矿物
D.“双晶”一词是指两个晶体有规律地连生在一起的现象。
A.表面细晶粒区由于比较薄,对铸件的性能影响较小。
B.柱状晶是晶体择优生长形成的细长晶体,性能具有明显方向性。
C.铸件内部等轴枝晶越发达粗大,对铸件性能的提升就越有利。
D.等轴晶粒之间位向各不相同,性能比较均匀,没有方向性。
A.常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件
B.长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系
C.长方形磁阻元件在外加磁场作用下,物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在
D.InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb,在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
A.晶体宏观长大方式分为平面方式长大和树枝晶方式长大。
B.晶体宏观长大方式取决于界面前方液体的温度分布,即温度梯度。
C.当结晶界面前方温度梯度为正时,晶体以平面方式长大。
D.当结晶界面前方温度梯度为正时,晶体以树枝晶方式长大。
关于稀释液的描述错误的是
A、稀释液由晶体液和胶体溶液组成
B、采血总量与稀释液(替补液)总量的比例为1:3
C、胶体溶液和晶体溶液的比例为1:2
D、胶体溶液原则上不使用血浆
E、具体情况可根据患者全身情况以及重要脏器功能作适度调整
A.平面晶体表面附加声学透镜
B.焦距和焦点大小等参数可以根据探测目标的需要进行调整
C.焦点的声束比较细,横向分辨性能好
D.构造简单,实现容易
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