STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

1.给出每一步的具体工艺方法和需要用到的设备：不能写PVD，必须给出具体PVD中的哪种工艺及相应的设备； 2.采用这种工艺方法的原因；光刻必须给出光刻胶正负，画出掩模板图形 3.作图给出每一步完成之后得到的结构； 4.画出完整的工艺流程图； 5. 不需要给出具体工艺控制参数的值，如温度、压力等的具体数值，但工艺方法、原理必须描述清楚、详尽； 6. 论述制备过程中的以下关键技术问题： (1) MOS隔离技术的可选工艺有哪些？ (2) 什么是STI？STI氧化物填充过程中发生了哪些氧化反应步骤，分别写出反应方程，氧化反应特点及作用？ (3) STI槽刻蚀的工艺步骤，并阐述氮化硅和氧化硅的作用？ (4) 什么是短沟道效应？采用那些措施防止？叙述具体工艺步骤 (5) n阱形成的工艺步骤及各关键步骤的作用？ p阱注入和n阱注入时的差别？ (6) 哪些工艺步骤中不需要掩膜？

A.单晶硅刻蚀

B. 多晶硅刻蚀

C. 二氧化硅刻蚀

D. 氮化硅刻蚀

A.栅氧化层

B. 沟槽

C. 势垒

D. 场氧化层

A.干法比湿法的图形分辨率低

B.湿法比干法的选择性好

C.干法比湿法的保真度好

D.湿法比干法的设备更复杂

A.离子、电子

B. 中性原子

C. 分子

D. 自由基

A.百秒瞬时工艺

B.专利休眠技术

C.湿法技术

D.干法技术

A.正面

B.背面

C.正背面

D.反面