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[主观题]

MOS管截止时,D-S间电阻非常大。()

MOS管截止时,D-S间电阻非常大。()

提问人:网友xiayan188 发布时间:2022-01-06
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第1题
MOS管导通时,D-S间电阻非常大。()

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第2题
N沟道增强型MOS场效应管导通后,D-S间相当于一个受电压uGS控制的电流源,对吗?为什么?
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第3题
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电路如图P4.4所示,T1管的低频跨导为gm,T1和T2管d-s间的动态电阻分别为电路如图P4.4所示,T1管的低频跨导为gm,T1和T2管d-s间的动态电阻分别为和 试求解电电路如电路如图P4.4所示,T1管的低频跨导为gm,T1和T2管d-s间的动态电阻分别为和 试求解电电路如试求解电压放大倍数电路如图P4.4所示,T1管的低频跨导为gm,T1和T2管d-s间的动态电阻分别为和 试求解电电路如的表达式.

电路如图P4.4所示,T1管的低频跨导为gm,T1和T2管d-s间的动态电阻分别为和 试求解电电路如

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第4题
电路如图P4.5所示,T与T,管特性相同,它们的低频跨导为gm;T3与T4管特性对称;T1与T
4管d-s间的动态电阻分别为rds2和rds4.试求出电压放大倍数Auu0/Δ(u11-u12)的表达式.

电路如图P4.5所示,T与T,管特性相同,它们的低频跨导为gm;T3与T4管特性对称;T1与T4管d

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第5题
MOS管的开关特性,源于导通状态与截止状态的巨大电阻差异。
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第6题
MOS管的漏极和源极可以交换,但在实际制造过程中,通常将源极和衬底材料短接,在MOS内部形成体二极管,在P沟道的MOS管中,体二极管的方向是()

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B.G-S

C.D-S

D.G-D

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第7题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。

A.NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B.当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第8题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。

A.NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B.当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第9题
已知图题3.2.1所示各MOS管的|VT|=0.5V,忽略电阻上的压降,试分别确定它们的工作状态(导通或

已知图题3.2.1所示各MOS管的|VT|=0.5V,忽略电阻上的压降,试分别确定它们的工作状态(导通或截止)。

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第10题
5、无论是MOS管还是BJT,它们构成的差分放大电路在双端输出时,共模抑制比都非常大
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