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[单选题]

在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准，该工序称为

A.对准

B.套刻

C.光刻

D.刻蚀

提问人：网友liwang201 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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更多“在曝光之前需要将掩膜版上的对准记号与硅片上的对准几号对准，该…”相关的问题

第1题

将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？

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第2题

二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（）。 ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料

A、⑴⑵⑶⑷⑸

B、⑴⑵

C、（1）（2）（3）

D、（1）（2）（4）（5）

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第3题

扩散装片是指用吸笔依次将硅片从硅片盒中取出,插入______

A．扩散炉

B．石英舟

C．硅片框

D．周转箱

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第4题

利用透镜将衍射的光聚焦，提高分辨率的方法为

A、利用透镜减少衍射技术

B、移相掩膜技术

C、离轴照明技术

D、浸润式光刻技术

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第5题

利用光学镜头和晶圆之间的介质，由水代替空气的光刻技术称为

A、离轴照明技术

B、移相掩膜技术

C、浸润式光刻技术

D、接触式光刻技术

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第6题

通常，光刻的分辨率与波长之间的关系是

A、波长越短，分辨率越高

B、波长越短，分辨率越低

C、波长与分辨率关系不大

D、波长与分辨率之间的关系不确定

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第7题

以下几种光刻方法中，属于光学曝光的是

A、接触式

B、接近式

C、投影式

D、扫描式

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第8题

光刻胶，又称光致抗蚀剂，主要成分是

A、感光剂（树脂）

B、增感剂

C、溶剂

D、其他添加剂，例如活性剂等。

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第9题

生产中中，产生紫外光的装置通常是

A、高压汞灯

B、准分子激光

C、钠灯

D、灯丝

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第10题

光刻的工艺要求是

A、图形完整，尺寸准确

B、套准对准，套准精度高

C、表面干净

D、具有一定的工艺宽容度

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