题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为
已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为
，则其掺杂浓度最可能为()
。
A.
B.
C.
D.
提问人：网友肖和成
发布时间：2022-01-07
如搜索结果不匹配，请 
A、硼掺杂浓度为
B、磷掺杂浓度为
C、纯净硅
D、硼掺杂浓度为，磷掺杂浓度为
题目内容
（请给出正确答案）
您可能会需要：
安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！
更多“已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为，则其掺杂浓度…”相关的问题
第2题
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室...
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下（300K）下测得电阻率
。已知所掺杂的硼浓度
，硼的电离能
，铟的电离能
，试求样品中
[室温下
，
，假设硼（浅能级杂质）已经完全电离。]
第3题
主教材图6.18中，n型硅的掺杂浓度ND/cm-3分别为1E17，1.25E18，1.7E19，2.6E20，计算前两个浓度下室温的载流子浓
主教材图6.18中，n型硅的掺杂浓度ND/cm-3分别为1E17，1.25E18，1.7E19，2.6E20，计算前两个浓度下室温的载流子浓度n、霍尔系数R11、电子平均自由程lc以及电阻率ρ。
第4题
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
第5题
在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为ND=1016cm-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为NA=1018cm-3，计算其接触势φ、耗
在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为ND=1016cm-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为NA=1018cm-3，计算其接触势φ、耗尽层厚度d以及耗尽层电容C0/A。
第6题
【习题8-3】对由电阻率为[图]的n型硅和厚度为100 nm$二...
【习题8-3】对由电阻率为
的n型硅和厚度为100 nm$二氧化硅膜组成的MOS电容，计算其室温下的平带电容
。[假定硅的相对介电常数为
，室温下电子迁移率为
，
]
的n型硅，求当表面势
时耗尽层的宽度。[硅的相对介电常数为
，室温下电子迁移率为
]第8题
已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/（V·s
已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/(V·s)，μp=300cm2/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
时，其空穴扩散系数为
，则空穴迁移率大约为（）
。
