绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。

A. “IGBT”

B. “BJT”

C. “GTO”

D. “MOSFET”

A. 集电极

B. 栅极

C. 发射极

D. 门极

A、驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件

B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供

C、通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管

D、高耐压的同时也具有很小的通态压降

E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大

F、关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长

A、集电极

B、发射极

C、基级

D、源级