题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法

A.减小衬底/阱的体电阻

B.缩小器件尺寸

C.降低电源电压

D.降低少子复合寿命

提问人：网友xhwdy26 发布时间：2022-01-06

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ABCD

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第1题

请分析下列画线基团的电子效应,并用箭头表示.

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第2题

下列绩效考评方法中，可以避免趋中效应的是（）。

A. 强制分布法

B. 图表等级评价法

C. 平衡计分卡法

D. 关键绩效绩效指标法

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第3题

下列选项中体现了从众效应的有()。

A、我思故我在

B、不想当元帅的士兵不是好士兵

C、谢利夫的光点实验

D、阿西的线条判断实验

E、不积小流无以成江海

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第4题

下列叙述不正确的是：

A、凝聚系统(液体、固体)反应的等压热效应近似等于等容热效应

B、对于有气体参与的反应，Qp－Qv＝ΔnRT

C、无非体积功时，Qp＝ΔH，Qv＝ΔU

D、对于所有的化学反应，等压热效应Qp一定大于等容热效应

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第5题

在恒定电场缩微中,如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k(k>1),则衬底掺杂浓度应为原器件的（）倍

A、k

B、k2

C、1/k

D、1/k2

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第6题

在恒定电压缩微中,如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k(k>1),则漏源电流为原器件的（）倍

A、k

B、k2

C、1/k

D、1/k2

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第7题

在恒定电场缩微中,如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k(k>1),则门延迟为原器件的（）倍。

A、1

B、1/k

C、1/k2

D、1/k3

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第8题

在恒定电压缩微中,如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k(k>1),则功耗密度为原器件的（）倍。

A、1

B、k

C、k2

D、k3

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第9题

在MOS缩微中,下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。

A、漏结扩散势

B、阈值电压

C、ION

D、IOFF

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第10题

衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______

A、源区

B、沟道区靠近源区一侧

C、沟道区靠近漏区一侧

D、漏区

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