题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

利用SILVACO TCAD软件进行工艺仿真时，不可以EXTRAC的参数是

A.方块电阻

B.结深

C.阈值电压

D.电阻率大小

提问人：网友hewenbao 发布时间：2022-01-06

参考答案

查看官方参考答案

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

网友答案

查看全部（）

· 有3位网友选择 C，占比37.5%
· 有2位网友选择 A，占比25%
· 有2位网友选择 B，占比25%
· 有1位网友选择 D，占比12.5%

ABCD

提交我的答案

登录提交答案，可赢取奖励机会。

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装简答题APP，拍照搜题省时又省心！

更多“利用SILVACO TCAD软件进行工艺仿真时，不可以EXT…”相关的问题

第1题

如果设计的参数不符合要求，可以通过SIVACO TCAD中的优化功能进行优化。

点击查看答案

第2题

利用SILVACO TCAD软件可以实现2D和3D结构的仿真。

点击查看答案

第3题

使用有机溶剂（organic solvent）清洗时，按的顺序进行才能收到良好的效果。

A、甲苯 → 丙酮 → 乙醇

B、乙醇 → 丙酮 → 甲苯(

C、丙酮 → 甲苯 → 乙醇

D、甲苯 → 乙醇 → 丙酮

点击查看答案

第4题

Junction depth的意思是

A、方块电阻

B、结深

C、电阻率

D、电导率

点击查看答案

第5题

以下各项中不属于Ⅱ号cleaning solution的成分有：

A、H2O2

B、H2O

C、HCl

D、NH4OH

点击查看答案

第6题

从离子源引出的各种I离子中分析出所需要注入的离子，成为单一元素的Ion Beam束的部件是

A、磁分析器

B、离子源

C、聚焦系统

D、中性束流陷阱

点击查看答案

第7题

单晶硅Conductive type测量的方法是：。

A、磨角染色法

B、热探针法

C、滚槽法

D、扫描法

点击查看答案

第8题

电子束蒸发（Electron beam evaporation）比普通电阻丝加热蒸发增加了一个。

A、电阻丝

B、热丝

C、真空系统

D、偏转电子枪

点击查看答案

第9题

LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，。

A、适用于GaAs材料

B、适用于已形成PN结但还未做金属化的硅器件工艺

C、适应于Al材料

D、适用于已形成PN结的硅器件工艺

点击查看答案

第10题

以下各项中不属于氧化膜表面的缺陷（Defects）有：

A、斑点

B、裂纹

C、白雾

D、层错

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

简答题

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

简答题

点击打开微信