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[多选题]

以下对半导体性能描述正确的是()

A.N型半导体电子浓度远大于空穴浓度

B.P型半导体电子浓度远大于空穴浓度

C.半导体的导电性能跟施主杂质浓度有关

D.半导体的导电性能跟受主的杂质浓度无关

提问人:网友lqlq2018 发布时间:2022-01-06
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[241.***.***.186] 1天前
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[153.***.***.51] 1天前
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第1题
3、杂质对半导体性能的影响是由于杂质离子引起的 造成。
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第2题
关于非平衡状态,以下描述正确的是?

A.非平衡状态是一定温度下的不稳定状态。

B.非平衡状态一般是由外界作用引起的。

C.非平衡状态只在非简并半导体中存在。

D.非平衡状态下,多子和少子浓度均偏离热平衡状态。

E.对半导体施加光照就会产生非平衡载流子

F.非平衡状态下,其主要作用的的往往是少数载流子

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第3题
()对半导体器件性能影响很大。
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第4题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。

A.性能参数

B.转移特性

C.内部性能

D.特性曲线

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第5题
杂质对半导体的导电性能()。

A.有显著影响

B.没有影响

C.影响不大

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第6题
光照对半导体的导电性能的影响()。

A.很小

B.很大

C.不大

D.无

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第7题
对半导体探头特点的错误描述是:()。

A.灵敏度高

B.灵敏体积小

C.适于测量梯度变化大的区域

D.探头 压低

E.物理密度较空气低

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第8题
对半导体探头特点的错误描述是()

A.灵敏度高

B.灵敏体积小

C.适合测量剂量梯度变化大的区域

D.头偏压低

E.物理稳定性好

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第9题
对半导体探头特点的错误描述是:()。

A.灵敏度高

B.灵敏体积小

C.适于测量梯度变化大的区域

D.探头压低

E.物理密度较空气低

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第10题
以下对半导体材料特征描述正确的是

A.温度升高使半导体导电能力增强

B.微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力

C.适当波长的光照可以改变半导体的导电能力

D.导电能力介于导体与绝缘体之间

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