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简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.

提问人：网友shenxw 发布时间：2022-01-06

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第1题

悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间()左右。

A.3min

B. 5min

C. 10min

D. 20min

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第2题

经过多次真空区熔扫本底后的晶体,将成为一根无补偿的P型晶体,这样它的电阻率的高低就能代表原始硅多晶中的______含量

A.氧

B.基磷

C.基硼

D.碳

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第3题

采用悬浮区熔提纯后的硅中基硼含量计算需要的参数包括______

A.P型硅电阻率

B.电子电荷

C.空穴迁移率

D.电子迁移率

E.N型硅电阻率

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第4题

悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。

A.3ｍｉｎ

B.5ｍｉｎ

C.7ｍｉｎ

D.10ｍｉｎ

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第5题

下面几种方法中，不属于硅材料的提纯方法是（）

A.改良西门子法

B.硅烷法

C.悬浮区熔法

D.流化床法

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第6题

下面几种方法中，不属于硅材料的提纯方法是（）。

A.改良西门子法

B. 硅烷法

C. 悬浮区熔法

D. 流化床法

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第7题

逐区熔化法又称为溶质非保守系法，它的特点是生长体系由晶体、熔体和多晶原料三部分所组成，生长过程中体系存在着两个固－液界面，需要不断向熔区中添加材料来维持熔区体积不变，最终以晶体长大和多晶原料耗尽而结束生长。

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第8题

悬浮区熔的优点不包括（）

A.不需要坩埚

B.避免了容器污染

C.更易获得高纯度硅

D.成本低

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第9题

喷焊要将预先加热的自熔性金属粉末涂层再加热至1000～1300℃，使涂层熔化，并与基体形成冶金结合层。这些目熔性合金粉末是以镍、钴、铁为基材的合金，其中加入适量的，起脱氧造渣焊接熔剂的作用，同时能降低合金熔点（）

A.锡和铬元素

B.硼和硅元素

C.铝和锂元素

D.碳和磷元素

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第10题

关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是()

关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（)

A、取决于硼的含量

B、取决于温度效果显著

C、效果一般完全去除

D、几乎无法效果去除

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