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第1题
GTR和MOSFET都是电压驱动型器件。
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第2题
使MOSFET开通的驱动电压一般为 V,使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。
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第4题
反映场效应管放大能力的一个重要参数是 。
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第5题
在下列电力电子器件中开关频率最高的是哪一种器件?
A、SCR
B、IGBT
C、GTR (BJT)
D、Power MOSFET
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第6题
ISFET-离子场效应晶体管与普通的MOSFET管结构不同之处是 。
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第7题
功率MOSFET对驱动电路的要求是()。
A. 驱动信号的前后沿陡峭
B. 驱动信号的电压应高于开启电压
C. 信号电压应低于栅源击穿电压
D. 截止时应加小于栅源击穿电压的电压
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第8题
下列为全控性器件的是()。
A. 晶闸管
B. 二极管
C. IGBT
D. 三极管
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第9题
目前通用变频器常采用的大功率自关断开关器件有()。
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第10题
在下列功率电子器件中开关频率最高的是()
A、SCR
B、GTR
C、IGBT
D、POWER MOSFET
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