本征半导体中，从价带激发至导带的电子电导和价带产生的空穴电导同时存在。激发的电子数n可近似表示为

式中：N为状态密度；k为玻尔兹曼常数；T为热力学温度，K。试回答 （1）设N=1023 cm-3，k=8.6×10-5 eV·K-1时，Si（Eg=1.1 eV）、TiO2（Eg=3.0 eV）在室温（20 ℃）和500 ℃时所激发的电子数各是多少？ （2）当电子和空穴同时为载流子时，半导体的电导率为假设Si的迁移率μe=1 450 cm2·V-1·s-1，μh=500 cm2·V-1·s-1，且不随温度变化。求Si在20 ℃和500 ℃时的电导率。