题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

制备单晶硅的方法有

A.直拉法

B.悬浮区熔法

C.四探针法

D.范德堡法

提问人:网友stonewall 发布时间:2022-01-07
参考答案
查看官方参考答案
如搜索结果不匹配,请 联系老师 获取答案
网友答案
查看全部
  • · 有4位网友选择 C,占比40%
  • · 有3位网友选择 A,占比30%
  • · 有2位网友选择 D,占比20%
  • · 有1位网友选择 B,占比10%
匿名网友 选择了D
[36.***.***.29] 1天前
匿名网友 选择了A
[95.***.***.39] 1天前
匿名网友 选择了C
[73.***.***.196] 1天前
匿名网友 选择了A
[77.***.***.63] 1天前
匿名网友 选择了B
[5.***.***.149] 1天前
匿名网友 选择了D
[125.***.***.125] 1天前
匿名网友 选择了A
[176.***.***.189] 1天前
匿名网友 选择了C
[135.***.***.48] 1天前
匿名网友 选择了C
[49.***.***.58] 1天前
匿名网友 选择了C
[63.***.***.12] 1天前
匿名网友 选择了D
[36.***.***.29] 1天前
匿名网友 选择了A
[95.***.***.39] 1天前
匿名网友 选择了C
[73.***.***.196] 1天前
匿名网友 选择了A
[77.***.***.63] 1天前
匿名网友 选择了B
[5.***.***.149] 1天前
匿名网友 选择了D
[125.***.***.125] 1天前
匿名网友 选择了A
[176.***.***.189] 1天前
匿名网友 选择了C
[135.***.***.48] 1天前
匿名网友 选择了C
[49.***.***.58] 1天前
匿名网友 选择了C
[63.***.***.12] 1天前
加载更多
提交我的答案
登录提交答案,可赢取奖励机会。
更多“制备单晶硅的方法有”相关的问题
第1题
制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是().

A. 汽-固

B. 液-固

C. 固-固

D. 汽-液

点击查看答案
第2题
悬浮指标越大,则泥沙 。

A、沿垂线分布越均匀

B、沿垂线分布越不均匀

C、粒径越粗

D、粒径越细

点击查看答案
第3题
制备半导体级硅的过程:制备工业硅 、生长硅单晶、提纯。
点击查看答案
第4题
单晶硅生长需要满足的条件

A、加热,原子重新排列

B、浓度梯度

C、籽晶

D、过冷温度

点击查看答案
第5题
直拉法制备单晶时,单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有

A、温度

B、气压

C、提拉速度

D、转速

点击查看答案
第6题
半导体材料的特性主要包括

A、电阻率的负温度系数比较大

B、电阻率与随杂质或缺陷变关系很大

C、霍尔效应和光点效应明显

D、与金属接触容易出现整流效应

点击查看答案
第7题
多晶硅的制备方法有

A、三氯氢硅的氢还原法

B、二氯氢硅的氢还原法

C、硅烷的热分解法

D、直拉法

点击查看答案
第8题
直拉法制备硅单晶时,常常含有的杂质包括

A、碳

B、氧

C、金属

D、颗粒

点击查看答案
第9题
如果一个晶格原子进入间隙并产生空位,即间隙原子和空穴同时产生,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。
点击查看答案
第10题
目前常见的半导体材料包括元素半导体和
点击查看答案
账号:
你好,尊敬的用户
复制账号
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改
欢迎分享答案

为鼓励登录用户提交答案,简答题每个月将会抽取一批参与作答的用户给予奖励,具体奖励活动请关注官方微信公众号:简答题

简答题官方微信公众号

警告:系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!

微信搜一搜
简答题
点击打开微信
警告:系统检测到您的账号存在安全风险
抱歉,您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封,或联系客服
微信搜一搜
简答题
点击打开微信