题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？

A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

提问人：网友xiaojimi2 发布时间：2022-01-07

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第1题

在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()

A、金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

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第2题

在实际情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()

A、金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触

B、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

C、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

D、金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

E、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

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第3题

以下哪种情况需要金属和半导体间形成欧姆接触?()

A、给半导体器件接出金属引线

B、制作肖特基势垒二极管

C、制作PN结二极管

D、制作晶体管

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第4题

在什么条件下,金属和半导体接触形成电子阻挡层?()

A、金属和n型半导体接触，Wm>Ws

B、金属和n型半导体接触，Wm<Ws

C、金属和p型半导体接触，Wm>Ws

D、金属和p型半导体接触，Wm<Ws

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第5题

金属和半导体接触的整流特性可用于?()

A、制作肖特基势垒二极管

B、制作PN结二极管

C、给半导体器件接出金属引线

D、制作晶体管

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第6题

点接触型二极管由于金属丝和半导体间接触面很小，所以形成的电容就（）。

A. 很大

B. 很小

C. 较大

D. 不确定

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第7题

半导体的电导率与温度呈指数关系

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第8题

半导体应变片的内在工作原理和金属应变片是相同的。()

此题为判断题(对，错)。

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第9题

半导体应变片与金属应变片的主要区别在于()。

A.灵敏度

B.温度漂移

C.线性度

D.横向效应

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