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[主观题]

本征半导体中的自由电子浓度（)空穴浓度A、大于B、小于C、等于

本征半导体中的自由电子浓度()空穴浓度

A、大于

B、小于

C、等于

提问人：网友heysein 发布时间：2022-01-07

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第1题

随着温度的升高，N型半导体中的载流子数目变化为：

A、自由电子变多，空穴变少。

B、自由电子变少，空穴变多。

C、自由电子变少，空穴变少。

D、自由电子变多，空穴变多。

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第2题

温度为300K的本征硅半导体掺入[图]的砷原子，计算掺杂...

温度为300K的本征硅半导体掺入的砷原子，计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为（）

A、

B、

C、

D、

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第3题

半导体本征激发会成对产生　　　　　　　。

A、自由电子

B、空穴

C、自由电子和空穴

D、杂质离子

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第4题

常温下，本征半导体中存在电子空穴对。

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第5题

在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。

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第6题

电子准费米能级与空穴准费米能级之间的距离，可以说明半导体偏离平衡状态的程度

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第7题

本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的。

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第8题

温度升高，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。

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