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[单选题]

为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（)

A.du/dt抑制电路

B.抗饱和电路

C.di/dt抑制电路

D.吸收电路

提问人：网友yww2019 发布时间：2022-01-06

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ABCD

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第1题

为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用

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第2题

恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。

A. 加快功率晶体管开通

B. B.延缓功率晶体管关断

C. C.加深功率晶体管的饱和深度

D. D.保护器件

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第3题

功率放大器电路如图2所示, 如果忽略晶体管的饱和电压

, 则负载得到的最大交流功率为

A.

B.

C.

D.

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第4题

对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。

A. 导通

B. B.寿命

C. C.关断

D. D.饱和

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第5题

高频大功率晶体管3DA4的参数为fT=100MHz，β=20，集电极最大允许耗散功率PCM =20W，饱和临界线跨导gcr=0.8AV，

高频大功率晶体管3DA4的参数为f_T=100MHz，β=20，集电极最大允许耗散功率P_CM=20W，饱和临界线跨导g_cr=0.8A/V，用它做成2MHz的谐振功率放大器，选定V_CC=24V，θ_c=70°，I_CM=2.2A，并工作在临界状态。试计算R_p、P_o、P_c、η_c和。

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第6题

晶体管的功率为（）

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第7题

电路如图所示。已知[图]，[图]，晶体管的饱和压降可忽略。...

电路如图所示。已知，，晶体管的饱和压降可忽略。试计算：（1）当输入信号（有效值）时，电路的输出功率、管耗、直流电源提供的功率和效率。（2）当输入信号的振幅为时，电路的输出功率、管耗、直流电源提供的功率和效率。

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第8题

数字电路中，当晶体管的饱和深度变浅时，其工作速度（）。

A. 变低

B. B.不变

C. C.变高

D. D.加倍

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第9题

如果将晶体管的基极和发射极短路（即UBE=0），则（）。

A.管子深度饱和

B.发射结反偏

C.管子截止

D.集电结烧坏

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第10题

片式晶体管的最大功率为（)。A.2wB.1wC.8wD.4w

片式晶体管的最大功率为()。

A.2w

B.1w

C.8w

D.4w

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